Пре неколико дана Хубеи Јиуфенгсхан лабораторија је успешно упала извор ласерских светлости интегрисана у унутрашњост чипа на бази силицијума, што је прва успешна реализација технологије у Кини. Овим означава да је лабораторија поново направила пробој прекретнице у области силицијум фотонионске интеграције. Ово постигнуће усваја хетерогену технологију интеграције које је истраживала ЈИУ Фенгсхан Лаборатори и употпуњава процесну интеграцију ласера индијум-фосфида унутар 8- инчне сои вафла кроз сложени процес.
Ова технологија се назива "чип из светлости" у индустрији, која користи оптичке сигнале са бољим перформансама преноса да замене електричне сигнале за пренос и важно је да преношење преноса података сигнала између чипова, са основним сврхом решавања Проблем који су тренутни интер-језграни електрични сигнали близу физичке границе. Играће револуционарну улогу у промоцији центара података, рачунарских центара, ЦПУ / ГПУ чипова, АИ чипова и других поља.
Извор ласерског светла осветљен унутар силицијума од велике величине
Оптичке интерконекције на чипу засноване на интеграцији оптоелектронике засноване на силикону, сматрају се идеалним решењем за пробијање кроз утакмице потрошње електричне енергије, пропусне ширине и латенције суочене са интегрисаним развојним технологијом у пост-Мооре Ери.
Најтежи изазов у индустрији у развоју силицијум оптичке потпуно интегрисане платформе је у развоју и интеграцији "Срца" Силицон оптички чипова, тј. Силицијумног извора светлости који на чипу може да емитује светлост са високом ефикасношћу. Ова технологија је једна од ретких преосталих празнина у области оптоелектронике у Кини.
ЈИУФЕНГСХАН ЛАБОРАТОРИЈАТОРИ СИЛИЦОНСКИ ОПТИЧКИ ПРОЦЕССКИ ПРОЦЕСИ И ПАРТНЕРИ ЦОЛЛАБОРАТИВНА ИСТРАЖИВАЊА У 8 ИНЦХ СИЛИЦОНСКИ ОПТИЧКО ВЕЛИКИХ ГЕТЕРОГЕНИХ ГЛАВНИХ ГЛАВНИХ ИИИ-В ласерских материјала Епитаксија зрна, а затим ЦМОС компатибилност процеса производње уређаја на ЦХИП уређају, успешно је решила дизајн иии-В-у Раст, материјали и вафли повезани са ниским приносом и хетерогеном интеграцијом вафли на цхип сорте и контролу јеткања и друге потешкоће. Након скоро деценије надокнаде, коначно смо успели да осветлимо ласер на чипима и реализујући "чип из светлости".
У поређењу са традиционалним дискретним пакетом спољним светлосним извором и извором светлосног светла, ЈИУФЕнгСхан Лабораторијски технологију на чипу може ефикасно решити традиционалну ефикасност копње за силицијумско лаган чип није довољно висока, време прилагођавања поравнања није довољно Добар проблем са процесама, пробити се кроз трошкове производње, велике величине, тешке интеграције великог обима и друге масовне утке за производњу.
Кршење физичког уска грла великог преноса података између развоја чипова и примене великих модела вештачке интелигенције, аутономне вожње, телемедицине, даљинска комуникација са ниским латенцијама ...... Потражња за рачунањем моћи у свету будућности је све већа. Како је пут повећања густине транзистора на једном чипу све тежи, индустрија је отворила нове идеје да пакетирају више језгра зрна на истој супстрату за појачавање броја транзистора.
Што више умире у јединственој јединици пакета, то више међусобних повезаности између њих, и дуже удаљеност преноса података, традиционална технологија електричне интерконекције потребно је хитно развијати и надоградити. У поређењу са електричним сигналима, оптички пренос је бржи, мањи губитни и мање одложени, а технологија оптичког интерконекције Интер-Цхип-а сматра се кључним технологијом за покретање револуције информационе технологије нове генерације.
Како људска бића имају веће и веће захтеве за пренос и прераду информација, традиционална технологија микроелектронике коју је покренула "Моореов закон" је тешко решити проблеме потрошње електричне енергије, грејања топлоте, цроссталк и других аспеката чипа. И путем оптоелектронске хетерогене технологије интеграције се може реализовати између чипа, чип у оптичком интерконекту, ЦМОС технологија има карактеристике ултра-велике логике, ултра-прецизне производне и фото-фото-технолошке технологије ултра-велике брзине, ултра-велике брзине, Ултра-ниско снаге предности фузије оригиналног одвајања уређаја Многе оптичке и електричне компоненте до интеграције независног микрочипа, како би се постигло високо-трошак, брза оптички пренос велике брзине.
